Resumen de la clasificación de gases electrónicos comunes en la fabricación de semiconductores

En el proceso de fabricación de semiconductores, se utiliza una amplia variedad de gases electrónicos en diferentes enlaces de proceso. Según su uso, estos gases se pueden dividir aproximadamente en las siguientes categorías:

Mezcla de gas

Los gases dopados se utilizan principalmente en los procesos de implantación o difusión de iones para incorporar impurezas específicas (como P, B, AS, etc.) en la matriz semiconductora para regular sus propiedades eléctricas. Los gases dopados comunes incluyen:

Ash₃, Ph₃, Geh₄, B₂h₆, Ascl₃, Asf₃, H₂s, Bf₃, Bcl₃, Seh₂, Sbh₃, (Ch₃) ₂te, (Ch₃) ₂cd, (C₂h₅) ₂cd, Pcl₃, (C₂h₅) ₂te

Los cristales cultivan gases

Los gases de crecimiento cristalino se utilizan para la reacción de crecimiento de capas epitaxiales o ALD. Los gases comunes son:

Sih₄, sih, cl, sihcl₃, sicl₄, bh₆, bbr₃bcl₃, ash₃, ph₃, geh₄, teh₂, (ch₃) ₃al, (c₂h₅) ₃al, (ch₃) ₃as, (c₂h₅) ₃as, (ch₃) ₂hg, (Ch₃) p, (c₂h) ₃p, sncL₄, gec, (ch₃) ₂hg, (Ch₃) P, (c₂h) ₃p, sncL₄, gec, (ch₃) ₂hg, (CH₃) P, (C₂H) Sbcl₅, Si₂h₆, Hcl.

0020-33806 Cámara superior DPS + poli

Gas de grabado

Al generar intermedios reactivos (p. Ej., Radicales F, radicales CL, etc.) bajo excitación en plasma, se usan para grabar diferentes materiales de película delgada. Los gases comunes son:

Sif₄, Cf₄, C₃f₈, CHF₃, C₂F₆, Cclf₃, O₂, C₂clf₅, Nf₃, Sf₆, Bcl₃, Hfcl₂, N₂, He, Ar, Cl₂, HCl, HBR, HBR

Gas de inyección de iones

Materiales de fuente de iones utilizados en procesos de implantación de iones:

Asf₃, Pf₃, Ph₃, Bf₃, Bcl₃, Sif₄, Sf₆, H₂, N₂.

V. Gas de deposición de vapor químico

Para el crecimiento de películas delgadas en procesos de CVD:

Sihcl₂, Sicl₄, NH₃, no, O₂, NO2

0040-09094 Cámara 200 mm

VI.Dilute Gas

Comúnmente utilizado en dopaje, ECV o grabado para regular las concentraciones de gas reactiva o la transferencia de calor:

N₂, ar, él, h₂, co₂, n₂o, o₂